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晶體管

產(chǎn)品中心

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FDC5614P

型號(hào)：FDC5614P
功能類(lèi)別：晶體管 ,

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產(chǎn)品參數(shù)

【型號(hào)】: FDC5614P

【封裝】: SSOT-6

【品牌】: ON Semiconductor

【包裝】:3000

【品質(zhì)】:

FET 類(lèi)型	P 溝道
技術(shù)	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）	3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）	105 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）	24nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）	759pF @ 30V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
工作溫度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型	表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝	SuperSOT?-6
封裝/外殼	SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

百分百全新原廠原裝正品

FET 類(lèi)型 P 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 105 毫歐 @ 3A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值） 24nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 759pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT?-6

封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

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