給你一顆正品的芯
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【型號】: IPD180N10N3G
【封裝】: TO252-3
【品牌】: Infineon Technologies
【包裝】:2500
【品質】:
百分百全新原廠原裝正品
| FET 類型 | N 溝道 | |
|---|---|---|
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 漏源電壓（Vdss） | 100V | |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 43A（Tc） | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） | 18 毫歐 @ 33A，10V | |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 33μA | |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 50V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 71W（Tc） | |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 供應商器件封裝 | PG-TO252-3 | |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
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