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【型號(hào)】: AON6508
【封裝】: 8DFN
【品牌】: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
【包裝】:3000
【品質(zhì)】:百分百全新原廠原裝正品
| FET 類型 | N 溝道 | |
|---|---|---|
| 技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
| 漏源電壓(Vdss) | 30V | |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) | 29A(Ta),32A(Tc) | |
| 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
| 不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) | 3.2 毫歐 @ 20A,10V | |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250μA | |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 49nC @ 10V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) | 2010pF @ 15V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散(最大值) | 4.2W(Ta),41W(Tc) | |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-DFN(5x6) | |
| 封裝/外殼 | 8-PowerSMD,扁平引線 |
| FET 類型 | N 溝道 | |
|---|---|---|
| 技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
| 漏源電壓(Vdss) | 30V | |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) | 29A(Ta),32A(Tc) | |
| 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
| 不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) | 3.2 毫歐 @ 20A,10V | |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250μA | |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 49nC @ 10V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) | 2010pF @ 15V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散(最大值) | 4.2W(Ta),41W(Tc) | |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-DFN(5x6) | |
| 封裝/外殼 | 8-PowerSMD,扁平引線 |